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Large Lateral Photovoltaic Effect in Metal-(Oxide-) Semiconductor Structures

机译:金属(氧化物)半导体结构中的大横向光伏效应

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摘要

The lateral photovoltaic effect (LPE) can be used in position-sensitive detectors to detect very small displacements due to its output of lateral photovoltage changing linearly with light spot position. In this review, we will summarize some of our recent works regarding LPE in metal-semiconductor and metal-oxide-semiconductor structures, and give a theoretical model of LPE in these two structures.
机译:横向光电效应(LPE)可用于位置敏感的检测器中,以检测非常小的位移,这是因为横向光电电压的输出随光斑位置线性变化。在这篇综述中,我们将总结一些有关金属-半导体和金属-氧化物-半导体结构中的LPE的最新工作,并给出这两种结构中LPE的理论模型。

著录项

  • 作者

    Yu, Chongqi; Wang, Hui;

  • 作者单位
  • 年度 2010
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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